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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Wang W;  Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Ye XL;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Reflectance-difference Spectroscopy  Indium Segregation  Ingaas/gaas Quantum Wells  Epitaxy-grown Ingaas/gaas  Surface Segregation  Interface  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/300  |  提交时间：2010/08/12