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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
Adobe PDF(12152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：948/58  |  提交时间：2017/06/02
4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：607/39  |  提交时间：2017/06/05
Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底