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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共22条,第1-10条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
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条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
半导体光电子功能材料集成技术平台
成果
2006
主要完成人:
王圩
;
朱红亮
;
赵玲娟
;
周帆
;
潘教青
;
王宝军
;
边静
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提交时间:2010/04/13
电子功能材料
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang J
;
Ma XY
;
Cao L
;
Wu DJ
;
Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Dev, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangjun@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:854/267
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan SD (Pan Shu-Di)
;
He JL (He Jing-Liang)
;
Hou YE (Hou Yu-E)
;
Fan YX (Fan Ya-Xian)
;
Wang HT (Wang Hui-Tian)
;
Wang YG (Wang Yong-Gang)
;
Ma XY (Ma Xiao-Yu)
;
Pan, SD, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jlhe@icm.sdu.edu.cn
;
htwang@nju.edu.cn
;
wygxjw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1067/314
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gan Q (Gan Q.)
;
Song G (Song G.)
;
Chen L (Chen L.)
;
Song, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gqq@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:934/275
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Chen M
;
Zhang ZX
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Wang X
;
Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. E-mail: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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浏览/下载:1277/275
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gan Q
;
Song G
;
Yang G
;
Li Y
;
Chen L
;
Gan, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gqq@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:952/266
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提交时间:2010/04/11
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li, Z (Li, Z.)
;
Li, CJ (Li, C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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提交时间:2010/03/29
Dlts
Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials
会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Pacific Grove, CA, SEP 05-10, 2004
作者:
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Chen M
;
Zhang ZX
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Wang X
;
Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Nitrogen
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu J
;
Girgis E
;
Bach P
;
Ruster C
;
Gould C
;
Schmidt G
;
Molenkamp LW
;
Liu, J, Univ Wurzburg, Inst Phys, D-97074 Wurzburg, Germany. E-mail: georg.schmidt@physik.uni-wuerzburg.de
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
林涛
;
郑凯
;
王翠鸾
;
王俊
;
王勇刚
;
仲莉
;
冯小明
;
马骁宇
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提交时间:2010/11/23