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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:  Wei M (Wei Meng);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Pan X (Pan Xu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Zhang ML (Zhang Minglan);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang LJ;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang ZG;  Yang CB;  Zhang ML
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XB;  Wang XL;  Xiao HL;  Yang CB;  Hou QF;  Yin HB;  Chen H;  Wang ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. soffeezxb@163.com
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2005/513  |  提交时间：2011/07/05