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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘扬;  潘教青;  王宝军;  边静;  安欣;  赵玲娟
Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/284  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Wang Y;  Sun Y;  Pan JQ;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W;  Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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模式相干的双模半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王列松;  赵玲娟;  王圩;  朱洪亮;  潘教青;  梁松
Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1454/227  |  提交时间：2009/06/11
吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  王宝军;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
Adobe PDF(775Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1384/213  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang LF;  Zhou F;  Shu HY;  Bian J;  An X;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1157/262  |  提交时间：2010/03/08
Wavelength tunable distributed Bragg reflector laser integrated with electro-absorption modulator by a combined method of selective area growth and quantum well intermixing - art. no. 68240N 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Zhao LJ;  Zhang J;  Wang L;  Cheng YB;  Pan JQ;  Liu HB;  Zhu HL;  Zhou F;  Bian J;  Wang BJ;  Zhu NH;  Wei W;  Zhao, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2199/579  |  提交时间：2010/03/09
Tunable Lasers  
掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  周帆;  王宝军;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
Adobe PDF(835Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1321/218  |  提交时间：2009/06/11
用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教青;  张靖;  王圩
Adobe PDF(388Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1105/147  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  Zhou F;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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