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TO封装的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐桂芝;  王欣;  刘超;  祝宁华
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Fan, ZC;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ;  Che KJ;  Yang YD;  Wang SJ;  Du Y;  Fan ZC;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖雪芳;  杨国华;  归强;  王国宏;  马晓宇;  陈朝;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张保平;  蔡丽娥;  张江勇;  李水清;  尚景智;  王笃祥;  林峰;  林科闯;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  申继伟;  郭亨群;  吕蓬;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Zhigang;  Zhang Yang;  Luo Weijun;  Zhang Renping;  Yang Fuhua;  Wang Xiaoliang;  Li Jinmin
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