SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共66条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王彦硕;  陈诺夫;  白一鸣;  黄添懋;  陈晓峰;  张汉
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1412/240  |  提交时间:2011/08/31
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1198/201  |  提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/183  |  提交时间:2012/09/09
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1219/204  |  提交时间:2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1603/254  |  提交时间:2011/08/31
制作ZnO基异质结发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张曙光;  尹志岗;  张兴旺;  游经碧
Adobe PDF(319Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1232/233  |  提交时间:2011/08/31
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
Adobe PDF(408Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/248  |  提交时间:2011/08/31
硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078560.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  石明吉;  曾湘波;  王占国;  刘石勇;  彭文博;  肖海波;  张长沙
Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1780/262  |  提交时间:2011/08/31
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张曙光;  张兴旺;  尹志岗;  董敬敬;  游经碧
Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1528/244  |  提交时间:2012/09/09
制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  高云;  张兴旺;  尹志岗;  屈盛;  高红丽
Adobe PDF(367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1346/227  |  提交时间:2012/09/09