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6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  徐健凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, HT;  Jia, CH;  Xu, JK;  Chen, YH;  Chen, XW;  Zhang, WF
收藏  |  浏览/下载：309/4  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan J (Yan Jun);  Sun CH (Sun Chenghua);  Tan;  FR (Tan Furui);  Hu XJ (Hu Xiujie);  Chen P (Chen Ping);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zhou SY (Zhou Shuyun);  Xu JK (Xu Jingkun);  Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn
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