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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H; Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li H; Wang Z; Zhou K; Pang JB; Ke JY; Zhao YW; Wang Z Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. E-mail Address: wangz@whu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Zhu HL; Jia LH; Chen XF; Kong DH; Wang LS; Zhang W; Zhao LJ; Wang W; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li SS (Li Shu-Shen); Luo JW (Luo Jun-Wei); Wang LW (Wang Lin-Wang); Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li F; Jiao HJ; Wang H; Luo JY; Li XQ; Li F Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: fengli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZH; Wang BS; Su ZB; Wang ZH Chinese Acad Sci Inst Theoret Phys Beijing 100190 Peoples R China. ISSN: 1098-0121
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