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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| In(Ti,Sn)-O 与Sn(Pb)Zn-Te 的电子结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 唐黎明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡炜玄 ; 成步文; 薛春来; 薛海韵; 苏少坚; 白安琪; 罗丽萍; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 阚强; 王晓东; 李贵柯; 李昌青; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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