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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan, JX;  Tang, N;  He, X;  Shen, B;  Yan, Y;  Zhang, S;  Qin, XD;  Wang, XQ;  Yang, XL;  Xu, FJ;  Chen, YH;  Ge, WK
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱洪亮;  梁松;  李宝霞;  赵玲娟;  王宝军;  边静;  许晓冬;  朱小宁;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu HL (Zhu Hongliang);  Xu XD (Xu Xiaodong);  Wang H (Wang Huan);  Kong DH (Kong Duanhua);  Liang S (Liang Song);  Zhao LJ (Zhao Lingjuan);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: Zhuhl@semi.ac.cn;  xdxu@semi.ac.cn;  wanghuan21@semi.ac.cn;  kdh@semi.ac.cn;  liangsong@semi.ac.cn;  ljzhao@red.semi.ac.cn;  wwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Yang T (Yang Tao);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Wang Q (Wang Qing);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱洪亮;  许晓冬;  王桓;  孔端花;  梁松;  王宝军;  赵玲娟;  王圩
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具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  谢小兵;  曾湘波;  杨萍;  李洁;  李敬彦;  张晓东;  王启明
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一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  杨萍;  曾湘波;  谢小兵;  张晓东;  李浩;  王占国
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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