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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1178/201  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JR;  Hu M;  Wang XD;  Li GK;  Ji A;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
Adobe PDF(591Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1968/662  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XB;  Kou LZ;  Lang XL;  Xia JB;  Wang N;  Qin R;  Lu J;  Xu J;  Liao ZM;  Zhang XZ;  Shan XD;  Song XF;  Gao JY;  Guo WL;  Yu DP;  Guo, WL, Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut, Inst Nanosci, Nanjing 210016, Peoples R China. E-mail Address: wlguo@nuaa.edu.cn;  yudp@pku.edu.cn
Adobe PDF(653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1276/499  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
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一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓东;  季安;  邢波;  杨富华
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Low Temperature Deposited Nano-structured Vanadium Oxide Thin Films for Uncooled Infrared Detectors 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Li GK;  Wang XD;  Liang JR;  Ji A;  Hu M;  Yang F;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Li, GK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(803Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1674/420  |  提交时间：2010/03/09
Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Wang XD;  Li GK;  Liang JR;  Ji A;  Hu M;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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V2o5 Thin-films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, XD;  Wang, WZ;  Gao, RX;  Zhao, JH;  Wen, JH;  Lin, WZ;  Lai, TS;  Lai, TS, Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: stslts@mail.sysu.edu.cn
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Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang, LC;  Yi, XY;  Wang, XD;  Wang, GH;  Li, JM;  Wang, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Light-emitting-diodes  Efficiency  
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd