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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1076/178  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  龚谦;  梁基本;  徐波;  丁鼎;  王占国;  裘晓辉;  商广义;  白春礼
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：986/327  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周伟;  梁基本;  徐波;  龚谦;  李含轩;  刘峰奇;  姜卫红;  江潮;  许怀哲;  丁鼎;  张金福;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Ding D;  Li HX;  Jiang C;  Zhou W;  Liu FQ;  Wang ZG;  Qiu XH;  Shang GY;  Bai CL;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Wang Z;  Liang J;  Xu B;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu F;  Zhou W;  Li H,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hxli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Jiang C;  Gong Q;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：960/294  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Lu M;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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