|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li, J.J; Zhao, C.W; Xing, Y.M; Hou, X.H; Fan, Z.C; Jin, Y.J; Wang, Y
 Adobe PDF(988Kb) |  收藏 | 浏览/下载：881/372 | 提交时间：2013/05/07 |
| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 樊晶美; 王良臣; 刘志强
Adobe PDF(609Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1226/198 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 黄亚军; 樊中朝; 王莉; 季安
Adobe PDF(278Kb) | 收藏 | 浏览/下载：887/103 | 提交时间：2014/11/05 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
Adobe PDF(428Kb) | 收藏 | 浏览/下载：742/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(1075Kb) | 收藏 | 浏览/下载：932/82 | 提交时间：2014/11/17 |
| 一种复合膜片压力传感器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华
Adobe PDF(289Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1451/210 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华
Adobe PDF(982Kb) | 收藏 | 浏览/下载：519/2 | 提交时间：2016/09/12 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(392Kb) | 收藏 | 浏览/下载：519/2 | 提交时间：2016/09/12 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(683Kb) | 收藏 | 浏览/下载：588/5 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(571Kb) | 收藏 | 浏览/下载：564/5 | 提交时间：2016/08/30 |
