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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [21]
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专利 [16]
期刊论文 [5]
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2016 [1]
2015 [2]
2014 [1]
2013 [1]
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英语 [3]
出处
Chinese Ph... [2]
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中国科学: 物理学 ... [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ning Zhang
;
Xue-Cheng Wei
;
Kun-Yi Lu
;
Liang-Sen Feng
;
Jie Yang
;
Bin Xue
;
Zhe Liu
;
Jin-Min Li and Jun-Xi Wang
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浏览/下载:199/1
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提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张连
;
魏学成
;
路坤熠
;
魏同波
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:467/8
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhi-Guo Yu
;
Li-Xia Zhao
;
Shi-Chao Zhu
;
Xue-Cheng Wei
;
Xue-Jiao Sun
;
Lei Liu
;
Jun-Xi Wang
;
Jin-Min Li
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浏览/下载:285/4
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, Zhi-Guo
;
Zhao, Li-Xia
;
Wei, Xue-Cheng
;
Lu, Hong-Xi
;
Wang, Jun-Xi
;
Zeng, Yi-Ping
;
Li, Jin-Min
;
Sun, Xue-Jiao
;
An, Ping-Bo
;
Zhu, Shi-Chao
;
Liu, Lei
;
Tian, Li-Xin
;
Zhang, Feng
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浏览/下载:511/132
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
ZHANG Ning, LIU Zhe, SI Zhao, REN Peng, WANG Xiao-Dong, FENG Xiang-Xu, DONG Peng, DU Cheng-Xiao, ZHU Shao-Xin, FU Bing-Lei, LU Hong-Xi, LI Jin-Min, WANG Jun-Xi
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浏览/下载:688/121
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提交时间:2014/04/09
提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
马平
;
王军喜
;
魏学成
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1760/367
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提交时间:2012/09/09
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘志强
;
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1391/236
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提交时间:2011/08/31
栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘志强
;
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1332/248
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提交时间:2011/08/31
一种控制半导体LED外延片内应力的装置
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:
张宁
;
魏学成
;
刘桂鹏
;
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:657/84
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提交时间:2014/12/25
垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人:
于治国
;
赵丽霞
;
魏学成
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:515/75
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提交时间:2014/11/17