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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng, YS (Peng, Yin-Sheng); Xu, B (Xu, Bo); Ye, XL (Ye, Xiao-Ling); Niu, JB (Niu, Jie-Bin); Jia, R (Jia, Rui); Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo); Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Sun WG; Xu YQ ; Zhou ZQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Xian 710000 Shaanxi Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Sun WG; Peng ZY; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710000 Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD; Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn; yyxu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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