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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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高Al组分AlxGa1-xN材料生长及MSM型阳盲紫外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  王晓燕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang CB (Fang Cebao);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Hu GX (Hu Guoxin);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XY (Wang Xiaoyan);  Li JP (Li Jianping);  Wang JX (Wang Junxi);  Li CJ (Li Chengji);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XY (Wang, Xiaoyan);  Wang XL (Wang, Xiaoliang);  Hu GX (Hu, Guoxin);  Wang BZ (Wang, Baozhu);  Ma ZY (Ma, Zhiyong);  Xiao HL (Xiao, Hongling);  Wang CM (Wang, Cuimei);  Ran JX (Ran, Junxue);  Li JP (Li, Jianping);  Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xywang@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XY (Wang Xiaoyan);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li AN (Li Antnin);  Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111) 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:  Wang, XY (Wang, Xiaoyan);  Wang, XL (Wang, Xiaoliang);  Wang, BZ (Wang, Baozhu);  Xiao, HL (Xiao, Hongling);  Liu, HX (Liu, Hongxin);  Wang, JX (Wang, Junxi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Buffer Layer  Stress  Photodiodes  Reduction  Detectors  Sapphire  Epitaxy  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  郭伦春;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  曾一平;  李晋闽
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