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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, H (Zhu Hui);  Zheng, HZ (Zheng Hou-Zhi);  Li, GR (Li Gui-Rong);  Tan, PH (Tan Ping-Heng);  Gan, HD (Gan Hua-Dong);  Xu, P (Xu Ping);  Zhang, F (Zhang Fei);  Zhang, H (Zhang Hao);  Xiao, WB (Xiao Wen-Bo);  Sun, XM (Sun Xiao-Ming);  Zhu, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  杨富华;  徐萍;  刘伟
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Zeng, YX (Zeng, Yuxin);  Liu, W (Liu, Wei);  Yang, FH (Yang, Fuhua);  Xu, P (Xu, Ping);  Tan, PH (Tan, Pingheng);  Zheng, HZ (Zheng, Houzhi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Xing, YJ (Xing, Yingjie);  Yu, DP (Yu, Dapeng);  Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas Quantum Dot  Photoluminescence  Modulation-doped  Field Effect Transistor  Mu-m  Capping Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  李晋闽;  王良臣;  徐萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  徐萍;  葛永才;  姚文卿;  高翠华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  袁海荣;  王良臣;  徐萍;  姚文卿;  高翠华;  刘焕章;  葛永才;  郑东
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