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InP基近中红外激光器的理论模拟和MOCVD材料生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李健
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Inp基量子阱激光器  量子级联激光器  异变材料生长  
一种高响应度雪崩光电二极管制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  陈良惠;  李慧梅;  李晓敏;  李健;  于海龙;  宋国峰;  徐云
Adobe PDF(861Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：508/6  |  提交时间：2016/09/12