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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 　
发明人:  姜丽娟
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  姜丽娟
Adobe PDF(1620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：865/27  |  提交时间：2009/04/13