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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1248/150  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, ZQ;  Xu, YQ;  Hao, RT;  Tang, B;  Ren, ZW;  Niu, ZC;  Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1093/296  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XM;  Sun BQ;  Chang XY;  Xiong YH;  Huang SS;  Ni HQ;  Niu ZC;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：872/238  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou, XM;  Sun, BQ;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Bian LF;  Uesugi M;  Nosho H;  Tackeuchi A;  Niu ZC;  Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu@waseda.jp
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong, YH;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Dou, XM;  Niu, ZC;  Xiong, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XM;  Chang XY;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Huang SS;  Ni HQ;  Du Y;  Xia JB;  Dou, XM, CAS, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou, XM;  Sun, BQ;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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