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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei);  Liao H (Liao Hua);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Hao, RT, Yunnan Normal Univ, Inst Solar Energy, Key Lab Renewable Energy Adv Mat & Mfg Technol, Educ Minist, Kunming 650092, Yunnan Province, Peoples R China. ruitinghao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XH (Yang Xiaohong);  Xu XL (Xu Xiulai);  Wang XP (Wang Xiuping);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  Han Q (Han Qin);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Williams DA (Williams David A.);  Yang, XH, Cavendish Lab, Hitachi Cambridge Lab, JJ Thompson Ave, Cambridge CB3 0HE, England.E-mail Address: xhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  常秀英;  窦秀明;  孙宝权;  熊永华;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  孙宝权;  窦秀明;  熊永华;  王海莉;  倪海桥;  李树深;  夏建白
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郝瑞亭;  申兰先;  邓书康;  杨培志;  涂洁磊;  廖华;  徐应强;  牛智川
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