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| CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102447848A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-05-09, 2012-08-29
发明人: 周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦
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| 一种基于键合技术制作微波传输线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237093.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张岭梓 ; 曹权; 左玉华; 王启明
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| 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 曹中祥; 吴南健; 周杨帆; 李全良; 秦琦
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| CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-05-09
发明人: 周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦
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| CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 曹中祥; 吴南健; 周杨帆; 李全良
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲
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| 非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 曹权; 周天微; 左玉华; 王启明
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| 非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-23
发明人: 周天微; 曹权; 左玉华; 王启明
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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