中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
高效 GaN 基阵列式高压 LED 器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  詹腾
Adobe PDF(4441Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1287/75  |  提交时间：2013/06/24
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1350/211  |  提交时间：2012/09/09