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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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