中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1235/193  |  提交时间：2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/179  |  提交时间：2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：967/142  |  提交时间：2009/06/11
能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  杨占坤
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：978/176  |  提交时间：2009/06/11
使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1092/166  |  提交时间：2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：988/153  |  提交时间：2009/06/11
制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1166/176  |  提交时间：2009/06/11
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1295/146  |  提交时间：2009/06/11
改进砷化镓晶片表面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  徐嘉东
Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1132/168  |  提交时间：2009/06/11
一种用于实现光波导器件耦合封装的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  安俊明;  胡雄伟;  李建光;  王红杰
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：983/140  |  提交时间：2009/06/11