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吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  王宝军;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Pan JQ;  Zhou F;  Feng W;  Wang BJ;  Zhu HL;  Zhao LJ;  Wang W;  Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ybcheng@semi.ac.cn
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掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  周帆;  王宝军;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  Zhou F;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Cheng YB;  Liao ZY;  Wang BJ;  Zhou F;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Wang L;  Liao ZY;  Cheng YB;  Chen DB;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I 会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Zhou F;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inp  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Yang H;  Hou LP;  Zhou F;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Wang W;  Zhu HL;  Zhao LJ;  Hou LP;  Pan JQ;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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