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半导体纳米团簇的电子结构和光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  李京波
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氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  李京波;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241693.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李京波;  朱峰
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一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱峰;  李京波
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1164/167  |  提交时间：2011/08/30