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GaAs/InP的键合界面热应力分析 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2012, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 120-125
Authors:  于丽娟,晏磊
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硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  于丽娟;  杜云;  赵烘泉;  黄永箴
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用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  晏磊;  于丽娟
Adobe PDF(379Kb)  |  Favorite  |  View/Download:816/146  |  Submit date:2011/08/30