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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:
梁凌燕
;
叶小玲
;
金 鹏
;
陈涌海
;
徐 波
;
王占国
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, YS (Peng, Yin-Sheng)
;
Xu, B (Xu, Bo)
;
Ye, XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Niu, JB (Niu, Jie-Bin)
;
Jia, R (Jia, Rui)
;
Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo)
;
Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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浏览/下载:1042/384
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang CG
;
Chen YH
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1581/437
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Ye XL
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1199/339
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Ye XL
;
Wang W
;
Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liangsong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1234/316
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提交时间:2010/03/08
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
梁凌燕
;
叶小玲
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1478/208
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提交时间:2009/06/11
具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
胡良均
;
陈涌海
;
叶小玲
;
王占国
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浏览/下载:1154/166
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, LJ
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Jiao, YH
;
Shi, LW
;
Wang, ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:921/285
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提交时间:2010/03/08
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(799Kb)
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浏览/下载:1539/232
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李凯
;
叶小玲
;
王占国
Adobe PDF(392Kb)
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浏览/下载:1145/161
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提交时间:2009/06/11