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| 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人: 鞠研玲; 杨晓红 ; 韩 勤
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| 在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 提刘旺; 杨晓红; 韩 勤
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| 在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 杨晓红; 韩 勤; 提刘旺
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| 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人: 李文兵; 韩 勤; 秦 龙; 杨晓红; 倪海乔; 杜 云; 朱 彬; 鞠研玲
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 基于谐振腔增强型光电探测器的解复用探测系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴荣汉; 杨晓红
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| 用于波分复用系统的解复用探测装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨晓红; 吴荣汉
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| 在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010102016.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王秀平; 杨晓红; 韩勤
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| 一种提高电子束曝光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201513.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王秀平; 杨晓红; 韩勤; 王杰; 刘少卿
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| 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263067.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王杰; 韩勤; 杨晓红; 王秀平; 刘少卿
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