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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, C;  Wang, XL;  Yang, CB;  Xiao, HL;  Zhang, ML;  Jiang, LJ;  Tang, J;  Hu, GX;  Wang, JX;  Wang, ZG;  Feng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, ML;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Zhang, ML, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mlzhang@semi.ac.cn
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