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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  王占国
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利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
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氧化锌-维纳米材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭文琴;  曲胜春;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BC (Cheng Baochang);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zhou HY (Zhou Huiying);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Cheng, BC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bcheng@vip.sina.com
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半导体纳米晶的化学制备和结构、物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  曲胜春
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