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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-30, 2010-08-12
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  赵玲娟;  朱洪亮;  潘教青;  王 圩
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折射面入光探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人:  廖栽宜;  张云霄;  周 帆;  赵玲娟;  王 圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L(张磊);  Ji RQ(冀瑞强);  Jia LX(贾连希);  Yang L(杨林);  Zhou P(周平);  Tian YH(田永辉);  Chen P(陈平);  Lu YY(卢洋洋);  Jiang ZY(姜震宇);  Liu YL(刘育梁);  Fang Q(方青);  Yu MB(余明斌)
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Study on Broadband Emitting Self-Assembled Quantum-Dot Material and Devices 会议论文
NEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JAN 03-08, 2010
作者:  Jin P (Jin P.);  Lv XQ (Lv X. Q.);  Liu N (Liu N.);  Zhang ZY (Zhang Z. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zgwang@red.semi.ac.cn
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Superluminescent Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YX (Zhang Yun-Xiao);  Liao ZY (Liao Zai-Yi);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangyx@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng XQ (Meng X. Q.);  Jin P (Jin P.);  Liang ZM (Liang Z. M.);  Liu FQ (Liu F. Q.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhang ZY (Zhang Z. Y.);  Meng, XQ, Wuhan Univ, Key Lab Artificial Micro & Nano Struct, Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. mengxq@whu.edu.cn
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