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| 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-17, 2010-08-12
发明人: 黄祖炎; 宋国锋; 王 青; 韦 欣; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄祖炎; 韦欣 ; 王青; 宋国峰
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| MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韦欣
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| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王青; 曹玉莲; 何国荣; 韦欣; 渠红伟; 宋国峰; 陈良惠
Adobe PDF(490Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1144/446 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王青; 曹玉莲; 何国荣; 韦欣; 渠红伟; 宋国峰; 马文全; 陈良惠
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| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kai Zheng; Tao Lin; Li Jiang; Jun Wang; Suping Liu; Xin Wei; Guangze Zang; Xiaoyu Ma
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇
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