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| 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-17, 2010-08-12 发明人: 黄祖炎; 宋国锋; 王 青; 韦 欣; 陈良惠 Adobe PDF(781Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1511/242  |  提交时间:2010/08/12 |
| MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韦欣 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1192/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠 Adobe PDF(603Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1400/222  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1240/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇 Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:956/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇 Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1133/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种双色量子阱红外光探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 宋国峰; 许斌宗; 刘杰涛; 胡海峰; 韦欣; 王青; 徐云 Adobe PDF(1394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:807/73  |  提交时间:2014/11/17 |
| 亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 宋国峰; 蔡利康; 王青; 韦欣 Adobe PDF(284Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:674/95  |  提交时间:2014/10/29 |
| 大面积表面增强拉曼活性基底的倾斜生长制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 发明人: 宋国峰; 王立娜; 胡海峰; 徐云; 韦欣 Adobe PDF(1235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:676/84  |  提交时间:2014/11/17 |
| InGaAs红外光探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 韦欣; 许斌宗; 宋国峰; 刘杰涛; 徐云; 相春平; 付东 Adobe PDF(1647Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:826/70  |  提交时间:2014/11/24 |