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光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236703.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  安琪;  金鹏;  王占国
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  白安琪;  成步文;  左玉华;  王启明
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
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基于核壳结构的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  王珍;  祁洋洋;  张明亮;  王晓东;  季安;  杨富华
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