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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Han XX;  Li JM;  Li DB;  Lu Y;  Wei HY;  Cong GW;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Wu JJ;  Han XX;  Lu YW;  Lin XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiemli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1190/442  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Y;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC;  Li DB;  Han XX;  Cong GW;  Wang ZG;  Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@red.semi.ac.cn
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