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集成肋片式红外半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李 路;  王利军;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Liu FQ;  Li L;  Wang LJ;  Wang ZG;  Liu JQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jqliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY (Lu, Quan-Yong);  Zhang W (Zhang, Wei);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Li L (Li, Lu);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo);  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Li L (Li Lu);  Wang LJ (Wang Lijun);  Liu JQ (Liu Junqi);  Zhang W (Zhang Wei);  Zhang QD (Zhang Quande);  Liu WF (Liu Wanfeng);  Lu QY (Lu Quanyong);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  邵烨;  王占国
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InGaAs/InAlAs/InP 量子级联激光器材料生长与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  李路
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InGaAs/InAlAs/InP 量子级联激光器材料生长与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  李路
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Lu;  Shao Ye;  Liu Junqi;  Liu Fengqi;  Wang Zhanguo
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一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邵烨;  刘峰奇;  刘俊歧;  李路
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GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李路;  邵烨;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1177/204  |  提交时间：2009/06/11