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环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  王 颖;  韩伟华;  杨 香;  张 杨;  杨富华 
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硅基单电子神经元量子电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华
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具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香;  吴南健
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  张扬;  刘剑;  杨富华
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大规模光电集成RCE探测器面阵器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  邓晖;  梁琨
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基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  吴荣汉;  杜云;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  梁琨
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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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