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| 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 王 颖; 韩伟华; 杨 香; 张 杨; 杨富华 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1204/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 硅基单电子神经元量子电路 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华 Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香 Adobe PDF(855Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香 Adobe PDF(896Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:980/156  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香; 吴南健 Adobe PDF(1822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/118  |  提交时间:2009/06/11 |
| 通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 张扬; 刘剑; 杨富华 Adobe PDF(871Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1028/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1352/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07 发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1625/383  |  提交时间:2012/09/07 |
| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07 发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华 Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1242/336  |  提交时间:2012/09/07 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1389/342  |  提交时间:2012/09/07 |