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倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-30, 2010-08-12
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  赵玲娟;  朱洪亮;  潘教青;  王 圩
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低介电常数BCB树脂的固化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  程远兵;  周 帆;  潘教青;  陈娓兮;  王 圩
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Wang Y;  Sun Y;  Pan JQ;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W;  Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang LF;  Zhou F;  Shu HY;  Bian J;  An X;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  丛伟光;  魏鸿源;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  Zhou F;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang H (Yang Hua);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Feng W (Feng Wen);  Xie HY (Xie Hong-Yun);  Zhou F (Zhou Fan);  An X (An Xin);  Bian J (Bian Jing);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang W (Wang Wei);  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yanghua@red.semi.ac.cn
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