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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding WC;  Liu Y;  Zhang Y;  Guo JC;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo JC;  Zuo YH;  Zhang Y;  Ding WC;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Guo JC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jchguo@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Y;  Zuo YH;  Guo JC;  Ding WC;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Zuo YH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhzuo@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Wuchang;  Zuo Yuhua;  Zhang Yun;  Guo Jianchuan;  Cheng Buwen;  Yu Jinzhong;  Wang Qiming;  Guo Hengqun;  Lü Peng;  Shen Jiwei
Adobe PDF(963Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:968/282  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭剑川;  左玉华;  张岭梓;  张云;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
Adobe PDF(1821Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1578/363  |  提交时间:2010/11/23
一种光子晶体可调谐滤波器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  唐海侠;  左玉华;  余金中;  王启明
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一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Zuo YH;  Tu XG;  Cai DJ;  Li SP;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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