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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红 ; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao YL (Cao Yu-Lian); Lian P (Lian Peng); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang Q (Wang Qing); Wu XM (Wu Xu-Ming); He GR (He Guo-Rong); Li H (Li Hui); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Song GF (Song Guo-Feng); Chen LH (Chen Liang-Hui); Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高鹏; 毛陆虹; 李斌桥; 东弘达; 孙增辉; 陈户权
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 殷涛; 赵红东; 廉鹏; 陈良惠; 沈光地
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉
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