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| 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人: 鞠研玲; 杨晓红 ; 韩 勤
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| 在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 提刘旺; 杨晓红; 韩 勤
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| 在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 杨晓红; 韩 勤; 提刘旺
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| 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人: 李文兵; 韩 勤; 秦 龙; 杨晓红; 倪海乔; 杜 云; 朱 彬; 鞠研玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 秦龙; 韩勤; 杨晓红; 朱彬; 鞠研玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱彬; 韩勤; 杨晓红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 鞠研玲; 杨晓红; 韩勤; 杜云; 倪海桥; 黄社松; 王鹏飞; 贺继方; 牛智川
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng, HL (Peng Hong-Ling); Han, Q (Han Qin); Yang, XH (Yang Xiao-Hong); Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan); Peng, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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| GaAs 基长波长光电子功能材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 韩勤
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