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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路 ; 刘峰奇; 王占国
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| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 尹雯; 陆全勇; 张伟; 刘峰奇; 张全德; 刘万峰; 江宇超; 李路; 刘俊岐; 王利军; 王占国
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 集成热敏电阻的金刚石热沉 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010034103.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张全德; 刘峰奇; 王利军; 张伟; 刘万峰; 陆全勇; 刘俊岐; 李路; 王占国
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| 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231191.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 江宇超; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 郭万红; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国
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| 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269026.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩
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