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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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