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一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song HP;  Yang AL;  Zhang RQ;  Guo Y;  Wei HY;  Zheng GL;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song HP;  Yang AL;  Wei HY;  Guo Y;  Zhang B;  Zheng GL;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang TY;  Wang HH;  Song HP Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing HY;  Fan GH;  Zhang Y;  Zhao DG;  Fan GH S China Normal Univ Inst Optoelect Mat & Technol Guangzhou 510631 Guangdong Peoples R China. E-mail Address: hy.xing@yahoo.com.cn;  gfan@scnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY;  Yan FW;  Zhang Y;  Li JM;  Zeng YP;  Wang JX;  Gao HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hygao2005@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邢海英;  范广涵;  章勇;  赵德刚
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