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Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 21, 页码: 213505
Authors:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1536/477  |  Submit date:2010/06/07
一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors:  黄亚军;  樊中朝;  王莉;  季安
Adobe PDF(278Kb)  |  Favorite  |  View/Download:568/102  |  Submit date:2014/11/05
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
Inventors:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
Inventors:  徐晓娜;  胡传贤;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1075Kb)  |  Favorite  |  View/Download:567/80  |  Submit date:2014/11/17
一种复合膜片压力传感器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王晓东;  樊中朝;  季安;  邢波;  杨富华
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一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
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一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  赵永梅;  何志;  季安;  王晓峰;  黄亚军;  潘岭峰;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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