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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  黄建亮;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
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近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  李琼;  马文全;  张艳华;  黄建亮
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